IBM анонсировала субнанометровые чипы: 0,7 нм и прорыв в архитектуре транзисторов
Корпорация IBM представила инновационную технологию производства полупроводниковых чипов с архитектурой транзисторов всего 0,7 нанометра, что соответствует 7 ангстремам. Это заявление знаменует собой очередной шаг к преодолению физических ограничений кремниевой литографии.
Ключевая особенность новой разработки — так называемая «наностековая» архитектура. В отличие от традиционных плоских (планарных) структур, транзисторы здесь размещаются не в одной плоскости, а в несколько слоёв. Такой вертикальный подход позволяет кардинально повысить плотность размещения логических элементов.
По оценкам моих источников внутри IBM, подобная конфигурация даёт возможность разместить почти 100 миллиардов транзисторов на чипе размером с ноготь. Для сравнения: в 2021 году компания демонстрировала 2-нм техпроцесс, который обеспечивал около 50 миллиардов транзисторов на аналогичной площади. Новый метод обещает прирост производительности до 50% или повышение энергоэффективности до 70% относительно того же 2-нм узла.
Коммерческое производство чипов по технологии 0,7 нм может начаться в течение пяти лет. Это означает, что мы стоим на пороге эры, когда плотность транзисторов достигнет уровня, сопоставимого с нейронными сетями человеческого мозга. Однако не стоит забывать о гигантских инженерных вызовах: тепловыделение и квантовые эффекты станут серьёзными барьерами на пути к массовому выпуску.
Мой экспертный анализ: Данный анонс подтверждает, что «закон Мура» не умер, а трансформируется. IBM делает ставку на вертикальную интеграцию, что в долгосрочной перспективе может полностью изменить рынок высокопроизводительных вычислений — от дата-центров до криптомайнинга. Тем не менее, до реального внедрения в потребительские устройства пройдёт как минимум 3–4 года, и ключевым фактором станет стоимость литографического оборудования для таких масштабов.