Новости криптомира

26.06.2026
00:46

IBM демонстрирует прорыв: технология 0,7 нм обещает 50% прироста производительности

chips_generic-min

Корпорация IBM официально анонсировала технологию производства полупроводниковых чипов с архитектурой транзисторов 0,7 нанометра, что эквивалентно 7 ангстремам. Это заявление знаменует собой очередной шаг в гонке за миниатюризацию, который бросает вызов физическим ограничениям кремниевых структур.

Ключевая инновация — использование наностеков (nanosheet). В отличие от традиционных планарных конструкций, транзисторы здесь размещаются вертикально в несколько слоев. Такой подход позволяет радикально увеличить плотность размещения логических элементов. По оценке исследователей IBM, на чипе размером с человеческий ноготь можно будет разместить до 100 миллиардов транзисторов.

Сравнение с предыдущими поколениями впечатляет. По сравнению с 2-нм технологией, которую IBM представила в 2021 году, новый процесс обеспечивает повышение производительности на 50% либо снижение энергопотребления на 70% при той же вычислительной мощности. Это критически важно для сфер с высокими требованиями к энергоэффективности, таких как дата-центры, мобильные устройства и высокопроизводительные вычисления (HPC).

Однако коммерциализация технологии потребует времени. IBM прогнозирует, что серийное производство чипов по 0,7-нм техпроцессу может начаться в течение ближайших пяти лет. Это объясняется необходимостью адаптации производственных линий и преодоления ряда технологических барьеров, включая контроль над утечками тока и тепловыделением на таких малых масштабах.

Аналитика Cryptalist: Данное заявление — не просто маркетинговый ход, а демонстрация фундаментального прогресса в материаловедении. Для криптовалютного майнинга и блокчейн-инфраструктуры снижение энергопотребления на 70% при сохранении производительности ASIC-чипов может радикально изменить экономику добычи, сделав её менее зависимой от стоимости электроэнергии. Однако пятилетний горизонт внедрения означает, что текущие проекты должны учитывать существующие 3-нм и 2-нм решения.